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化学 高校生

空欄の部分の求め方が知りたいです。 よろしくお願いします🙇‍♀️

12tf-167md Hq S本歳 16 目標 6分 3皮応物の過不足と量的関係O Si6 imad 9 mod Cmell1Ymol 22,4 次の問題を手順(i)~(iv)に従って解け。 メタンCH。 1.6gに標準状態で 5.6L の酸素 O。を混合し,この混合気体に点火すると,どちらか の気体の一部が未反応のまま残り,二酸化炭素CcO2と水 H.0 が生じた。 Level up 16 H=1.0, C=12, O=16 の反応せずに残った気体はどちらか。また, その物質量はいくらか。 発生した二酸化炭素の体積は標準状態で何Lか。また,生じた水の質量は何gか。 (手順) (i) メタン CH。を完全燃焼させたときの化学反応式を記し,各物質の物質量の比をあわせて記せ。 (i) 問題の値(メタン:1.6g, 酸素: 5.6L)を物質量に換算し記せ。 m)(i)で記した反応式の物質量の比より, CH』がすべて反応することがわかるので, CH。の物質量 をもとに O2, CO2, H:O の反応量を求め,記入せよ。 (v) 各物質について, 反応後の物質量を求め,これを体積や質量に換算する。 H-2 0-|2 [| + [ 2 ]0.一[ | ]60.+ [ 1HO C-1 H-4 0-2 C. 化学反応式 物質量の比 [ | ]mol [ 2 ] mol [ 1 ] mol [2 ]mol |2|mol ||mol と|mol 反応前(問題の値)|O0|mol 反応前(問題の値)|0、10mol[005 | mol 0 mol 0 mol 1-2 O2 [0、10] mol [0.2 ]mol | ] mol () 反応量 |mol 反応後 mol [0.05 mol |mol (iv) 0) mol 答 0反応せずに残った気体は で、 mol 残った。 L 水の質量 g ② 二酸化炭素の体積 POn

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化学 高校生

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください!🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

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