(c)の線結合構造式、私のように書いたらバツですか？

2･8 次の化合物の線結合構造式を書け. (a) (b) H. H H HHH H CH H-C-C-C-C-C-H | HH C H H I CIH H H H H-C O H-C-C-C-H H-C-H T H H H (c) H H-C-ÖH HO-C-H H-C-OH H A

どうしてのサリチル酸はCOOHが反応して 2枚目はOHが反応するのですか？

もっているり 「カルボン酸としての反応 メタノールと少量の濃硫酸(触媒)を作用させ ると,エステル化されてサリチル酸メチルが生成する。 のうりゅうさん ン環は安定で * ん HロI ュラーザイズ さ 鎖)は酸化さ 作 さん →p.235 前 ブラスター methyl salicylate たの する。 OH OH 濃硫酸 + HO CH。OH エステル化 COOCH。 H.CH。 COOH 図22 サリチル酸メ天ル(融点-8°C) 9リー1ル メタノール サリチル酸 サリチル酸

有機化学の質問です。セミナー化学の問題で、Dについて質問です。まず、構造式は合っていますか？あと、示性式は私の分ではどうしてダメなのか教えて下さい。

432. アセチレン 図は, アセ チレン CH=CH を原料とす る各種の有機化合物の合成経 路を示している。A~Hにあ てはまる化合物の示性式と名 称を記せ。 HCN 3分子重合 B H2O CH3COOH HeECH HCI D アセチレリC E H2 H2O H2 F G H

酸化還元の問題です 2枚目の問題を解いていたのですが、答えと全く違っていました… 1枚目のように比でやってみて0.08molになったのですが、1枚目は①:②＝2:5なのに対して3枚目の解答では①:②＝5:2で計算されています… これは私のやり方が間違っているのでしょうか？ ... 続きを読む

ON 2 大 酸化剤と還元剤の量的関係 《 半反店式を用いてイオン反応式・化学反応式を作成または反店式が与えをられているものとする 》 教科書 pl75 人証2 濃度未知の過マンガン酸カリウム水溶液 10mL に、 硫酸酸性のも とで 0.050mol/L のシュウ酸水浴液 8.0mLIを 加えると、骨不足なく反応した。 過マンガン酸カリウムの光度は何melLか。 oy 。う2 eo eeEC MNO NIS S >。・ (②KMnO。 + 隆(COOH)朋 + 3HS0。 っ 2MnSO。 + 10COz KzSO。二 8HzO (23) 有 2moみ : 5ws% 1 4 w例計邊ラ2! | 0.90 xすの ! (052 (099 0 0.050xrの 2:し の ド (0x = 2_CO2Oo0IA人IM = 0.619 6 A. 0ぃ6e2//。/ 2 っ ーー ーー ーー

全て化学反応式の係数の比で解いたのですが、(2)は比で解くと答えが合いません。 (2) 化学反応式の係数→水:2, 酸素:1 反応した酸素の質量をx[g]として、 2:1=3.6:x ∴1.8 どこが駄目なのか分かる方教えてください。

116 . 水の生成 水素と酸素が反応すると水が得られる。下の各問いに答えよ。 2H。 十 Oz 一つ 2HzO (1) 0.50mol の水素は何 mol の酸素と反応するか。また, 水は何 mol 生じるか。 (2) 水が3.6g得られたとき, 反応した酸素の質量は何 g か。 (3) 標準状態(0 て, 1013hPa)で5.60L の水素と反応する酸素の体積は何しか。

(1)について 2枚目が自分の回答、3枚目が模範解答です。 同じような考え方のような気がするのですが、具体的に自分の求め方のどこが駄目なのか教えてください。

[愛芝 $ 600 . 溶解度曲線 図は物質A、B, Cの溶解度曲線であ る。次の各問いに答えよ。 1) 50g の水に50g の物質Aを加えて加熱した。A が完全に溶解する温度は何てか。 (②) 10gのBを含も水溶液50gがある。 この水溶液 を冷却したとき, 何てで結晶が析出するか。 (3) 物質A,、B, Cのうちもち, 再結晶で物質を精製する 場合 この方法が適さないのはどれか。 へ )光更導 8 * ヽ』 っ (区mwらら アイ レア 0 20 40 60 80 1W 温度(C)

わかる方解答よろしくお願いします。

2編 物質の変化 2章 酸と塩基 1. 次の (ア) ~ (オ) を, 酸の水溶液の性斬< (ア) 薄い水溶液は苦味があり, 手につくと区 (イ) 赤いリトマス紙を青色に変える。論 (ウ) 時溶流を黄色に変える。 2. 次の各反応において., 下線部の水は,且 ているか。(PI12,113) Q①) NH。 十 兵O 一 NILH ② HSOr 十 岳O 一 SOzs G) HCO, ELO 一 EECoy 相国

(3)のδの求め方を教えてください

人10人 次の交を2、 (この間いに和えよ。 やNe では2休の記子の邊計了が9了n人で電子対をつくることによって ( 7 される。 同じ記子からなる三世分の結合には生まない HG1のように貞なる原子問で人和合が生計するときには 電子の一 の馬子に引き守せられて析を生じる。 2有人の誠人の李人のを表すために。 四=ナように電和6と5 9六/irl 衣れて存在すると考えて メー 1・6という量をだ導し も か5一に抽いた季で示すことにする。 ここでは電子の電導の大きき61 x10." COのである 守れたゥがたeと一到する電人5一1。 また/が0であればる0である。 一般FR 6が大まくな るにつれて ( イの) 結合の人所が大きくな 了のに いく人のなfoのととの打EECtralzGe=G これらは邦子で邊人する角な和の汰物で抽まされた トー 時 ものである。 けように。んの由+物質に人し化合 ビ古 | co | 6 | における6の休が異なる。 2 so |ぁ 8原子以上からなる分子の極性は。 個々の化学結合の極性と分子 | Her | 14L 226 | ぁ のから滋される。三人ではつの全原了と記子 HL Lt ーー が0=C=0 のように下線上になので。 過子と本康の結合には生はわるが分子人件としては 林は生じない。このような分子は( DC 一 水分は株子を頂上とする白身 がった構計をとるので分子全体として個人を有する。 CIのWAYで ウーロン とクーロンは このによっで宮東 (とな生れている (① 双電の (7) (の に入る六を記せ。(を2 ⑰ 5 の値の大を決める原子の重要な性抽を記せ。 2 が) を 條テを (⑧ 午示したパログジ(レ人伯は それぞれ内なる5の僅をもつ, こので 最大の6 と最の5 を2ん やっ人牧を それぞれの8の値とともに答えよ。 ただし,は交2桁求めよ。(生5.)とせ| 0 の人体として個まのを個々の0-革の個人とともに刊を用いて示せ。 ただし 23 叙くの村人の介作のは細い拓印( 一 )で 分子人体の李の方向は白抜きの矢印(ーー>) 911 でRe。 GA @⑫ 秒 トージクロロペンセンの2子全体としてのの大きさを4とする。 この分子の中の一っのでーQ 潜りの令を 7を用いて下 ただし ペンセンは本正人角形とし。 雪子間の反玩とCOL 3 」』 策24のfEは無拓する。 答えに平民が合まれる夫きには それを小数で近以しなくてよい。 1 GA 『 ※ペンゼンは寺 KTN 例的に選原子 に 陵 C および水素 ク9ヾ しで、 C、 子古 を者略して Sn 1 | 1 4 oN 表選している (た 上 図@8O。 ジクロロベンゼンの恒僅玉 ニンセンの村 ツンold

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください！🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

このような問題はどのように解けばはやくできますか？？どうしても時間がかかりすぎてしまい困ってます、、 出来ればコツとこの問題の解説を教えてください🙏🏻

EAAuss 人がCHHeO。で到きれる人ん化合和がある。AとBそれぞを要オトリク | で字人各し ついでその拉をで導にするとんからは人人和Cと在 を有する人等Dが放し。Bからは人人と企人生計した 叶 でとは胡によく間けではアンモニア人記して人を新陣した2が なしをかっな一 DRベンギンの一人でちり。Fはバラにを持つペンギンの 人でかった。 DFナトリウムと反球し。とちらからも未が生生した、また.Dは人人 未 ラルEEしなかった9が はして た ルクFL々かった4 FEし<をした | 思1 化便箱CとEにあてはまるものはどれか。ぐ基洪>からそれぞれ居べ。 SiISmsl pm入5 | awas | でマレイン吉 のフマル の で のフェルール ⑤ペッャン のメチレン のフタ が きアモチルサリチ%介やフタール るニシンーを 2 teWpogチAckのうちをna。[ュ] cm ecao cmo cmo omo cao 昌3 人AWDと由じなおKeを6っシャシのEPRwcuくっぁる*、 して ei gs es ET @s ee oz os 上還4 DEと人を6フベシャシクー和のうち ナトりウょと5する6は beecu<っし5] 1 @2 @3 @* 5 PO の7 @* 軸5 人8物A BおょのFにあてはまる化人の半半はどれかご表衣>かちらそそれ補ペ 語っz| rs は2