AZ
IC
まる。
きさ f = evB〔N〕 のローレンツ力を軸
このため、面Qは負に,面Pは正に帯電し,x軸の正の向きに電界が生じる。
Step② 時間が経過した後
x軸方向の電界の強さをE[V/m] とすると,自由電子は電界の向きと
反対に大きさ F=eE〔N〕の力を受ける。やがて, ローレンツ力と電界か
ら受ける力がつり合う (evB=eE) と, 自由電子はy軸方向に直進するよ
うになり,面Pと面Qとの間に一定の電位差 V〔V〕 が生じる。 よって 電
位差Vは,次式で表される。
I
V=Ed=vBd=
endh
y
enh
I
また,式(20) より B= V である。
金属に比べて半導体はnが小さいの
で, V〔V〕が大きくなって測定しやす
く, 磁束密度の測定に利用されている。
(a)
(b)
V
面P
図 22 ホール効果
B
xBd=
面Q
IB
enh
(20)
面P
7
面Q
+
+
Check
<Check
V=Ed (p.23 式 (10))
I=enSv(p.45 式 (2))
BOMFeE
+
S=dh
V
'f=evB
BA
+
E
E
+ 高
V
1.E
20