アセチレンの三量化についてです。 いまいちこの構造式が理解できません、、 二量化の構造式の成り立ちは分かったのですが、三量化は何故こうなるのかよく分からないです どなたか教えてくださったら幸いです🙇‍♂️

_HID=O-ACO CHIQ (2) 三分子重合 (三量化) HO BAH-C H Cec H A PROC-H PH OH OH OF APY 最も長い C C ヒドロ H H、 ベンゼン (C HO を明示するときは

共テ模試問題なのですが、何を言っているのかさっぱりなので教えてください。

(最密充填層) 問5 金 Au の結晶は面心立方格子であり, Au 原子が最出に が積み重なった構造 (最密構造)をとっている。 そこで, 厚さ(cm) の金箔は Au 原子の最密充填層が何層積み重なっているかを考察することにした。 文献を調べてみると、Au 原子の半程から、整備奮質層が何層積み重なってい いるかを求められることがわかった。そこで、最密構造と面心立方格子についてい 得られた情報をまとめてみた。 最密構造の1層目の最密充填層(これをA層とする) では,各原子が周囲6 個の原子と接している(図3ア)。2層目の最密充填層(これをB層とする)では、 原子はA層の3個の原子がつくるすき間 X の位置に入る (図3)。 面心立方 格子では,さらにA層のすき間Yの真上の位置に3層目の最密充填層(これを C層とする)の原子が入る(図3ウ)。 面心立方格子は,これら3つの最密充填 層がA層→B層→C層→A層→B層→C層→A層……のように繰り 返すことで,原子が積み重なってできている (図3エ )。 ☆ De- A層の原子 ア B層の原子 C層の原子 イ ウ 図3 面心立方格子における原子の積み重なり方 -94- I A層 C層 B層 A層 C層 B層 A層 図4才は, A層→B層→C層→A層の4層から一部の原子を取り出した のであり, これを斜めから見ると図4カのように立方体になっていることが 化学 わかる。図4キは、この立方体における原子の配置を示したもので1層目(A 層)の原子Aの中心とその真上の4層目(A層) の原子 A2の中心を結ぶ線が立 方体の対角線になっている。 図4クは原子 Ai, B1,B2, Ci, C2, Azの中心を 通る断面の図である。 B1 A1 ① B2 √6 キ 3 オ AM C層 B層 A層 A2 ++ 図4 面心立方格子の単位格子 a B1 /6 A1 2 すで 以上の情報から, Au 原子の半径をx(cm) とすると, 厚さ(cm)の金箔は, Au 原子の最密充填層が何層積み重なってできていると考えられるか。 層の数を 表す式として最も適当なものを、次の①~④のうちから一つ選べ。ただし,αの 値は,の値に比べてきわめて大きいものとする。 6 層 カ - 95- a 2√6 3 Ü Y B2 ク A2 C 2 2r

イの解説お願いします！！

プロセス 次の文中の()に適当な語句,式を入れよ。 Process B において, 4t 秒間にAが⊿c [mol/L] 変化したとき, Aの減少の速 ■ 化学反応 2A さUAはUA(ア)と表され,Bの増加の速さvg とは,CA=(イ)の関係がある。 7r. -71 P7 / 12

mol計算です

CO x3 molc 7) A 187.4 g sample of C3H5(NO3)3 decomposes according to the process below.malsbaz do + 12.01 3,8 4 C3H5(NO3)3 → 12 CO₂ + 10 H₂O + O₂ + 6 N₂ a. How many grams of carbon dioxide are produced? b. How many grams of water are produced? c. How many grams of oxygen gas are produced? d. How many grams of nitrogen gas are produced? e. The law of conservation of mass states that mass is neither created nor destroyed in a chemical reaction. Verify the law of conservation of mass for the decomposition of 187.4 g C3H5(NO3)3.

教えてください

74第口章 物質の変化 プロセス 次の文中の( )に適当な語句,数値を入れよ。 Process 1アレニウスの定義では, ( ア )とは水に溶かしたときに電離してオキソニウムイオ ン(水素イオン)を生じる化合物であり, ( イ )とは水に溶かしたときに電離して (ウ )イオンを生じる化合物である。一方, プレンステッド·ローリーの定義では、 (ア)とは( エ)を与えることができる物質であり, (イ)とは(エ)を受け取ることがで きる物質である。 塩酸や硫酸のように, 濃度に関係なく電離度が」とみなせる酸を( オ )という。また 削酸のように, 電離度の小さい酸を( カ )という。 日 25℃において,中性の水溶液の水素イオン濃度[H]は( キ )mol/Lであり, pHは (ク )となる。 酸性が強くなるほど, pH の値は( ケ )なる。 ん な日

オストワルト法の３つの式を一つにまとめる方法を教えてください

55) (54) OHO オストワルト法 Ostwald process 1白金Pt を触媒にして, アンモニアと空気を 800~ 900℃に加加熱して酸 化する。 触媒,高温 4NH3 + 502 4NO + 6 H2O (53) 2 一酸化窒素をさらに酸化して二酸化窒素にする。 2NO + O2 - 2NO2 3 二酸化窒素を水と反応させる。 すべて NO2にする 3NO2 + H2O → 2HNO3 + NO (55)

すごく初歩的ですみませんが、イの考え方を教えて欲しいです。

半な木 プロセス 次の文中の( )に適当な語句,式を入れよ。 ー Process →Bにおいて,At 秒間にAが Ac[mol/L]変化したとき, Aの減少の速 さ 。は A=( ア )と表され,Bの増加の速さ VB とは, ひa=( イ)の関係がある。 2反応の速さvと反応物の濃度との関係を表す=k[A]*[B]°のような式を(ゥ )と 1化学反応 2A L.r 、

イに入るのは2Vʙなのですが下線部はどういう意味ですか？

人寺診ーー に人 eS ー ProC8SS 人2 一 B において, Z7秒問にAが 4c(moi/L)変化したとき, Aの減少の束 きみ は Aa 72 )と表され, Bの増加の送さ um とは、二(一そうの関係がある。

【解説お願いします！】あと、お急ぎでお願いします…… 高分子化合物の問題の解説なのですが、 読んでも理解できません。 簡単に(いっそ大事なところだけでも)教えて頂きたいです。

ダイヤモンドでは, 1 個のC原子は 4 個の価電子を用いて 4 個のC原子 と共有結合で結合し, 正四面体の中心と 4つの頂点という位置関係で配 列している。そのため, ダイヤモンドは古く,。 電気を導かない。 黒鉛では, 1 個のC原子は 3 個の価電子を用いで 3 個のC原子と共有結 合で結合し, 正六角形の連続した平面構造をつくっている。 この平面構 造は弱い引力(ファンデルワールスカ) で多数重なっている。 残りの1 個の価電子は, 平面構造の中を自由に移動できる。したがって, 黒鉛は 電気を導くことができ, また, 結晶に力を加えると平面構造がずれるの で, やわらかい。 51 | (3) 高分子 (b) ポリエチレン (c) 二重 (d) 付加重合 (e) ポリエチレンテレフタラート (PET) (?) 縮合重合 原子が何千 何万個と結合し, 分子量が 1 万以上になった化合物を高分 子化合物という。高分子化合物には, 天然のもの (例 デンプン, セルロ ース, タンバク質) と人工的に合成したもの (例 ポリエチレン, PET, ナイロン) があるが, いずれも小さな分子 (単量体) が付加重合や縮合重 合などの反応を繰り返しで多数結合したもの(重合体) である。 高分子化合物は, 結合した小さな分子 (単量体) の数はそろってお らず, 分子量の異なる分子の集合体である。そのため, 測定で得ら れる分子量は平均分子量である。また, 熱しても決まった融点を 示さず, 次第にやわらかくなったり, 融解する前に熱分解したりす るなど, ふつうの結晶とは異なっている。 ① 付加重合 C=C をもつ化合物は, 0 こと (付 加)をくり返して多数結合する(付加重合 CH= CH CH= CH CH= CH He CH X Y X Y X Y X Y せ -CH- CH- CH- CH- CH- CH- CH- CH- X Y X Y X Y 人人Y2 (5 =H の場合: エチレンつ ポリエチレン X=H, Y三CI の場合 : : 5人生 ⑫ 縮合重合 反応できる原子や原子団を 2 個もった 分子間で, HO の ような簡単な分子がとれて結合すること (縮合) をくり 返して多数結 作るる (縮合重合)。

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください！🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED