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化学 高校生

教えてください🙇🏻‍♀️

次の問題を やってみよう トレーニング問題 □(1) 次の文中の ■にあてはまる文字式や語句を入れよ。 一定温度では、一定量の気体の体積は、圧力にアする。よって、圧力 をP,体積をVとするとイ=k(一定)が成り立つ。これをウの法 則とよぶ。 ア反比例 DIV=P2V2 ウボイル (解答: 別冊P2~) (2) 次の文中の [ にあてはまる圧力の単位記号を記せ。 大気圧は,水銀柱約76cmの圧力とつり合う。 そこで水銀柱76cm の圧力で ある760 アイ と定義した。一方, 1m²に1N (ニュートン) の力 が加わったときの圧力を1 ウと定義しているので、 1イは約 1.013 x 10ラウに等しい。 7 mmHg atm ウ Pa (3) 次の文中の にあてはまる文字式, 語句を入れよ。 一定圧力では,一定量の気体の体積は、絶対温度にアする。よって, 体積をV. 絶対温度を T〔K〕 とするとイ=h(一定) が成り立つ。これ をウの法則とよぶ。 ア反比例イ=ウシャルル (4) 次の文中の にあてはまる文字式, 語句を入れよ。 一定量の気体の体積は、圧力にアし、絶対温度に 体積をV, 圧力をP, 絶対温度を T〔K〕 とすると. 立つ。これをエの法則とよぶ。 T. FREKARI 1 EXABY & Pixvi Ti = P2XV2 T₂ する。よって, (一定)が成り ・エボイル・シャルル □(5)温度〔℃〕 圧力P [Pa] において, ある量の気体がv[mL] を占めるとき、 気体定数をR [Pa・L/ (K・mol)〕として,この気体の物質量を文字式で表せ。 PU=RT

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化学 高校生

答え合わせのために使いたいです 分かるところだけでもいいので教えてください🙇🏻‍♀️

次の問題を やってみよう トレーニング問題 □(1) 次の文中の ■にあてはまる文字式や語句を入れよ。 一定温度では、一定量の気体の体積は、圧力にアする。よって、圧力 をP,体積をVとするとイ=k(一定)が成り立つ。これをウの法 則とよぶ。 ア反比例 DIV=P2V2 ウボイル (解答: 別冊P2~) (2) 次の文中の [ にあてはまる圧力の単位記号を記せ。 大気圧は,水銀柱約76cmの圧力とつり合う。 そこで水銀柱76cm の圧力で ある760 アイ と定義した。一方, 1m²に1N (ニュートン) の力 が加わったときの圧力を1 ウと定義しているので、 1イは約 1.013 x 10ラウに等しい。 7 mmHg atm ウ Pa (3) 次の文中の にあてはまる文字式, 語句を入れよ。 一定圧力では,一定量の気体の体積は、絶対温度にアする。よって, 体積をV. 絶対温度を T〔K〕 とするとイ=h(一定) が成り立つ。これ をウの法則とよぶ。 ア反比例イ=ウシャルル (4) 次の文中の にあてはまる文字式, 語句を入れよ。 一定量の気体の体積は、圧力にアし、絶対温度に 体積をV, 圧力をP, 絶対温度を T〔K〕 とすると. 立つ。これをエの法則とよぶ。 T. FREKARI 1 EXABY & Pixvi Ti = P2XV2 T₂ する。よって, (一定)が成り ・エボイル・シャルル □(5)温度〔℃〕 圧力P [Pa] において, ある量の気体がv[mL] を占めるとき、 気体定数をR [Pa・L/ (K・mol)〕として,この気体の物質量を文字式で表せ。 PU=RT

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化学 高校生

一つだけでもいいのでわかる方がいましたら教えてください

確認テスト12 1 次のイオンの組み合わせでできる化合物の組成式及び化合物名を答えよ。 (1) カリウムイオン、ヨウ化物イオン (2) 亜鉛イオン, 塩化物イオン (3) カリウムイオン、 臭化物イオン (4) 銅(ⅡI)イオン、 硝酸イオン (5) アンモニウムイオン、 硫酸イオン (7) ナトリウムイオン、 炭酸水素イオン (6) 鉄(Ⅲ) イオン、 酸化物イオン (8) ナトリウムイオン、炭酸イオン (9) カルシウムイオン、水酸化物イオン (10) バリウ系オン、硫酸イオン (11) カルシウムイオン、塩化物イオン (13) 銀イオン、 硝酸イオン (12) アルミニウムイオン。 硝酸イオン (14) 銅(Ⅱイオン、硫酸イオン So (15) ナトリウムイオン、水酸化物イオン (16) アンモニウムイオン, 硫化物イオン_ MH41 組成式 化合物名 Sez 2+ 組成式 化合物名 (1) (2) KI 白ウ化カリウム ZnCl2 塩化亜鉛 (3) KBK 臭化カリウム Cust 硝酸銅(Ⅱ) (5) (HA2804 硫酸アンモニウム (8) Fe03 酸化鉄(ⅢI) (NaHCO3 炭酸水素ナトリウム (8) Va2CO3 炭酸ナトリウム (9) COOH)2 水酸化カルシウム 10/30(SD)2 硫酸バリウム (11) CoCl2 塩化カルシウム 121 ALNb3万肖酸アルミニウム (13) AqNCz硝酸銀(エ) Cu (Sop) 硫酸銅Ⅱ (15) (NaOH 水酸化カリウム 各種 硫イケンモウム (NH 4 2 294 2. 次の物質の組成式を構成するイオンのイオン名、イオン式を例にならって示せ。 例 塩化ナトリウム (1) 臭化銀 (2) 硫酸鉄(ⅡI) (3) 塩化マグネシウム (4) 硫化ナトリウム (5) 硝酸カリウム (6) 水酸化カルシウム (7) 炭酸カルシウム イオン名 (陽イオン) 例ナトリウムイオン イオン名 (陰イオン) イオン式 (陽) イオン式 (陰) 塩化物イオン Na+ CI 銀イオン 臭化物イオン Ag Br (2) 鉄(Ⅱ)イオン 硫酸イオン Fe Fext SO4²2 (2) マグネシウムイオン塩化物イオン Mg2+ Cl (4) ナトリウムイオン 硫化物イオン Nat S2- [68] カリウムイオン 硝酸イオン K+ O2 NO2² (8) カルシウムイオン 水酸化物イ) Ca2+ OH E (7) カルシウムイオン 炭酸イオン Ca²+ CO3²2² 2- 12 14 窒素 素 div ・NO3 ↑ 酸素が 3個

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化学 高校生

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください!🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

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