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化学 高校生

(3)の問題についてですが、溶解エンタルピーの正負というのはどちらでもいいんですか?

81. 《溶解エンタルピーと中和エンタルピーの測定〉 120 香川人」 実験 1, 2に関する文を読み, (1)~(5)に答えよ。 ただし, 実験は一定圧力下の断熱容器 内で行われ, すべての水溶液の比熱は 4.2J/(g・K), 密度は1.0g/cmとする。 なお,2 (5)は解答を有効数字2桁で記せ。 (H=1.0, O=16.0, Na=23.0) 実験1 固体の水酸化ナトリウム2.0gを水48gに加え, すばやくかき混ぜて、完全に溶解させた。このときの液温 の変化を測定したところ, 右図のような結果が得られた。 実験2 実験1で調製した水酸化ナトリウム水溶液の温度 が一定になった時点で,同じ温度の 2.0mol/L 塩酸 温度[℃] A. B で学 50mL を混合し, すばやくかき混ぜた。このとき,混合 水溶液の温度は,塩酸を加える前より 6.7℃上昇した。 (1) 実験1において, 水酸化ナトリウムの溶解が瞬間的に終了し,周囲への熱の放冷が なかったとみなせるときの水溶液の最高温度はA~Cのどれか。 20 0 2 4 6 時間 [min〕 (1)の温度が30℃であったとして,実験1で発生した熱量は何kJか。 (3) 実験1において, 固体の水酸化ナトリウムが水に溶解するときの溶解エンタルピー は何kJ/molか。 出 (4) 実験2において,塩酸と水酸化ナトリウム水溶液の中和反応における中和エンタル ピーは何kJ/mol か。平爆 書 K (5) 実験1と2の結果を用いて。 固体の水酸化ナトリウム4.0gを2.0mol/Lの塩酸 50mLに溶解したとき発生する熱量 〔kJ] を求めよ。 です。 〔18 日本女子大 改] ちら

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化学 高校生

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください!🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

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