すごく初歩的ですみませんが、イの考え方を教えて欲しいです。

半な木 プロセス 次の文中の( )に適当な語句,式を入れよ。 ー Process →Bにおいて,At 秒間にAが Ac[mol/L]変化したとき, Aの減少の速 さ 。は A=( ア )と表され,Bの増加の速さ VB とは, ひa=( イ)の関係がある。 2反応の速さvと反応物の濃度との関係を表す=k[A]*[B]°のような式を(ゥ )と 1化学反応 2A L.r 、

イに入るのは2Vʙなのですが下線部はどういう意味ですか？

人寺診ーー に人 eS ー ProC8SS 人2 一 B において, Z7秒問にAが 4c(moi/L)変化したとき, Aの減少の束 きみ は Aa 72 )と表され, Bの増加の送さ um とは、二(一そうの関係がある。

【解説お願いします！】あと、お急ぎでお願いします…… 高分子化合物の問題の解説なのですが、 読んでも理解できません。 簡単に(いっそ大事なところだけでも)教えて頂きたいです。

ダイヤモンドでは, 1 個のC原子は 4 個の価電子を用いて 4 個のC原子 と共有結合で結合し, 正四面体の中心と 4つの頂点という位置関係で配 列している。そのため, ダイヤモンドは古く,。 電気を導かない。 黒鉛では, 1 個のC原子は 3 個の価電子を用いで 3 個のC原子と共有結 合で結合し, 正六角形の連続した平面構造をつくっている。 この平面構 造は弱い引力(ファンデルワールスカ) で多数重なっている。 残りの1 個の価電子は, 平面構造の中を自由に移動できる。したがって, 黒鉛は 電気を導くことができ, また, 結晶に力を加えると平面構造がずれるの で, やわらかい。 51 | (3) 高分子 (b) ポリエチレン (c) 二重 (d) 付加重合 (e) ポリエチレンテレフタラート (PET) (?) 縮合重合 原子が何千 何万個と結合し, 分子量が 1 万以上になった化合物を高分 子化合物という。高分子化合物には, 天然のもの (例 デンプン, セルロ ース, タンバク質) と人工的に合成したもの (例 ポリエチレン, PET, ナイロン) があるが, いずれも小さな分子 (単量体) が付加重合や縮合重 合などの反応を繰り返しで多数結合したもの(重合体) である。 高分子化合物は, 結合した小さな分子 (単量体) の数はそろってお らず, 分子量の異なる分子の集合体である。そのため, 測定で得ら れる分子量は平均分子量である。また, 熱しても決まった融点を 示さず, 次第にやわらかくなったり, 融解する前に熱分解したりす るなど, ふつうの結晶とは異なっている。 ① 付加重合 C=C をもつ化合物は, 0 こと (付 加)をくり返して多数結合する(付加重合 CH= CH CH= CH CH= CH He CH X Y X Y X Y X Y せ -CH- CH- CH- CH- CH- CH- CH- CH- X Y X Y X Y 人人Y2 (5 =H の場合: エチレンつ ポリエチレン X=H, Y三CI の場合 : : 5人生 ⑫ 縮合重合 反応できる原子や原子団を 2 個もった 分子間で, HO の ような簡単な分子がとれて結合すること (縮合) をくり 返して多数結 作るる (縮合重合)。

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください！🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

解き方が分かる方、お願いします。m(_ _)m

EEモキモキギキモEi hese atoms were formed in the firstfew secods afler the Big Bang th event that marked | LegHmpimeoftheuniverwe HHowewcr thereisgttle free hydrogenon Fartb becausc Hmolecule mgYem hh moeat ueh high merge speeds at mey exape fom the Erths rmeYitr Most of the Earthis hydrogen is preeent as water either im the oceans or trappcd imside minerily ) mdclays Hydrogenisalsofoundimthehydrocarbons*! that make up thefossilfuelscoaL[ ん md naturml gas ILiaksenergytorelesee om these compounds Ifwe yaptto we SS a fel we must produce the gas using lcss energy than it generates when bumed. Beceuse water sits only combuston*3 prodoct_ hydrogen bnrms without poluting the ai Cr onibuitng signifcantly to the grecnhouse cfect*3 Coal[ A ] and natural gaN ae becoming increasingiy rare.but there isenough waterin the oceans to gencrate the hydrogen fuel we shall cver need. Hydrogen is obtaincd from water by elecrolysis** but that prOceSt requires electricity that has been gencrated esewhere。 Chemists are currently Seeing as Of using sunlight to drive the water-spitting reaction.the "decomposieon*" of ater eiemen Waterspbtting reacton : 2HzO(ianid) 一 2Hz(eas) Oz(gssy At present most commercial hydrogen is obtagted ss a byproduct*fof[ A ]refmmgYPma Sequence of two catalyzed reactons*9。 The gst is a reiorming reacton*io in which a jjdrocarbon and esm sre cnnweried into cartbon monoxide*! and hydrogen ovcr a nickl catalystYP: 。keforning reaction : CH(gss) +HkO(gas) 一 CO(gay) +3H(gy) The miiture ofproducts caled synthess gas "js the staring point for manufacture of many dher ompounds inciuding 。methanol Tbe reforming reacton is folowed by the shif reaction*1 im which the carbon monoxide in the synthesis gas reacts with more Water Shi reacion : CO(gms) +HLO(gas) 一 CO:(m) +Hktgs) Hydrogen is lso prepared pn smal amoupts. ja he laboratory by reducing hydrogen ions from strong acid with a metal (て Ama aaaL Janeu Chenical Prmepke: The Qwex cr msght 001 W.了Feman をCo から一 更して引有8) 1、 hydrocarbon : 庶化水素 2.combuston : 朱 3. greenhouse cert:温宅効果 4 Jayai : 電気分狂 5.photochemica 光化学的な 6.decomposiion 分角 yproduct: 硬生成物 8. rehing:柄製 9.caiyzed reacton :衣区応 10 ngreacdon : 折反計 1. cmrbonmonoridei 一誠化素 12.cataibet i角 。 15. synhess gms :全成ガス 14. shift reacton : シフト反応

この英文分かる方教えてください。

Czochralski method (チョクラルスキー法) is af人st growth method and widely used for both semiconductors and oxide/fhuoride materials for opi applications. It also normally produces the most nearly perfect and homogei erystals. (略) Normally a crucible material is needed that i5 compatible wih melt (意味 : 浴融物), however, he most common crucible material used fo that is, sihica。 dissolves slowly in the melt and this raises certain process the growth of this material. Costs for Czochralski method are higher than other techniques, but it is used when the greatest perfection of grown required. (原文を一部変更しました.) P Capper. Bu Csia/ Grow7か: 4e/Dos ag/

この問題がわからないです。

画11| 540g のアルミニウム Al ア を得るためには, 理論上. に 3.00Aの電流で何秒間電 。 と し 気分解する必要があるか。 滞 ア なお, Al の原子量は27.0。 。兄 較 ファラデー定数は9.65X 穫 We 10*C/mol とする。 物 ( 二 O〇図33 溶融塩電解 水溶液中では HzO が存在するため, 陰極では HzO 人Ye 了F P この方法は ホール・エルー法(Hall-Heroult process)とよ! 0 6

4546 3121 何かいいゴロありませんか？ オストワルト法の式の係数です

セミナー化学の解答持ってくるの忘れたのでお願いします！ 答えがある人は送ってくださるとありがたいです。 349の一個前のプロセスと基本例題39です。 わかる方は教えてくださるとありがたいです。

較国還較 o*キの( に半な生をかよっ Process 回 アンモニアは無色,( ス )臭の気体で, 水溶液は弱い( セ )人性を示す。この気体は 水素と窒素を直接反応きせて得られる。 この工業的製法を( ソ )法という。 田 一酸化容素は( タ )色の気体で 鍋に( チ )を作用させると発生する。 太 二酸化容素は( ツ )色, 刺激臭の気体で, 鋼に( テ ) を作用させると発生する。ま た, 水に溶けて( ト )を生じるため, 水溶液は強い( ナ )性を示す。 還 二酸化炭素を石灰水に通じると, 石灰水が( ニニ )く濁る。 田 二酸化ケイ素は( ヌ )結晶で,水酸化ナトリウムとともに融解すると( ネ )になる。 回 一般に, 酸仁の気体を乾燥させるには, ( ノ )性乾燥剤を使用する。中性乾燥剤であ る塩化カルシウムは, ( ハ )を除くすべての気体の乾燥に適している。 アンモニアの発生と性質 Ws0 図の装置を用いてアンモニアを発生させた。こ ついて, 次の各問いに答えよ。 | (0①) 幸の口を下向きにするのはなぜか。 后セアン | (⑫) 東燥剤として適当なものを下から選べ。 モニウム (ア) 地化カルシウム (イ) 江馬 が放カ (ウ) 十酸化四リン (エ) ソータ石灰 (3) この捕集法を何というか。 (4) ある気体をアンモニアに近づけると, 自 1 煙を生じた。この気体は何か。名称を記せ。

化学 のセミナーの化学反応の速さについてなのですが 画像の ア の答えが-Δc/Δt なのですが、なぜ減少速度は？と聞いてるのに、マイナスがつくのか？(減少速度に対してマイナスで答えてるから増加することにならないのか？)について教えて下さい！

Process 奇化学反応 2 一 B において, ノ/ 秒間に が ctmoL]徐化したよき Aの授少の操 きみはみニ( (ア) )と表され。 Bの共加の加き a とは。ム=( @ )の関係がある。 同反応の速さゥと反応物の濃度との騰伝コー 」ェココ。。 呈回較 oxro( )に適当な語句, 式を入れよ。