工学 大学生・専門学校生・社会人 4年弱前

ベース接地構成のpnpシリコントランジスタのエミッタ-ベース接合は、次のようになる。 10Ωの抵抗と理想的なダイオードを直列に接続した約0.5Vのバッテリーとして表される（下図2.1-1、2.1-3）。 Re=1000Ωと10kΩおよびVEE=6VのVEBQを求めよ。 教え... 続きを読む

E 全属増子 形 コレクタ O D O ミッタ 0 C 102 Ta TO5T Re ペース 全属増子 る。 R。 コレクタ エミッタ ペース Mw R。 ww R。 p静合トランジスタ (a図報表示(回路記号とベース接地接続におけ 電圧の向き Ire oC T。 E 傾き = コレクタ。 VEEgペース同路 「o 0.7V言 -1 傾き= 『理想ダイ 「オード- R。 『n 1。 B 0 V ERQ 07V 図2.1-3 折線モデル,トランジスタ入力回路(alp-i特性(6断線モデル等価回路 D ww