電気物理です。途中式も含めて教えていただきたいです。

課題1 5Ωの抵抗と、20Ωの誘導性リアクタンスと、 8Ω の容量性リアクタンスとが、直列に 接続された回路のインピーダンスを記号法で示しなさい。 課題2 図1の RLC 並列回路に 100V、 周波数 60Hz の交流電圧を加えた。 次の各値を求めなさ い。 (1) 電流 IR (2) 電流ﾙ (3) 電流 Ic (4) 全電流I IR IL Ic È [V] 10Ω 100μF 100 mH (5) 全電流と印加電圧の位相差 課題3 図2に示す回路の電流の値を求めなさい。 3V I □3Ω 300 図2 課題3の図 図1 課題2の図

（３）あたりからわからないので教えてください🙇

[I] 図1のように質量m, 半径αの球を水平な床の上に静止させておき、 球の中心を通る鉛直面 内で床から高さんの点に撃力P (力積) を水平に加える。 最初, 球は反時計回りに回転し滑り ながらxだけ進み (このとき球は常に床と接しているものとする), その後時計回りに回転し 転がり始める。 球と床の動摩擦係数をμ, 重力加速度をg, 角速度をw, 時間をt, 球の慣性モ ーメントを1=1/23ma2とし、空気抵抗は無視する。 以下の問いに答えよ。 (1) 撃力Pを与えた直後の球の重心の水平方向の初速度を求めよ。 (2) 撃力Pを与えた直後の球の回転方向の初角速度を求めよ。 (3) 球が滑りながら運動する間の並進運動の方程式を求めよ。 (4) 球が滑りながら運動する間の回転運動の方程式を求めよ。 (5)高さん=123のとき,球が滑りながら運動する時間を求めよ。 (6)高さん=2のとき,球が滑りながら運動する距離xを求めよ。 (7)撃力Pを与えた直後から球が滑らずに転がり始めるようにするには, 撃力Pの高さんをどの ように設定すればよいか答えよ。 h m a E x

電子回路問題の(2)、(3)の解き方を教えていただきたいです！

(1) 下図の回路の小信号回路を描け。 (2) 伝達関数A=i (s)/i(s) を求めよ。 ヒント: エミッタ回路 をベース側に反映せよ。 (3) A の漸近近似特性をスケッチせよ。 i; Rh =4kΩ R₁= 100 Q hic=1kΩ, h=50 [in↓ Ce =5μF Rc =1kΩ

電子回路の問題です。(5)の出力インピーダンスの求め方を教えていただきたいです。(4)までは解いてみました。

演習 下図において,r=10kΩ, R=22kΩ, R2=78kΩ, R=1.5kQ,R,=5009, R=2kΩ,r=20kΩ,g = 2.8mS, ds (1) 直流回路を示せ。 (2) 交流回路を示せ。 (3) 小信号等価回路 を示せ。 (4) 電圧利得A,-v/vを求めよ。 (5) 出力インピーダン ス Z を求めよ。 VDD C=∞,V=20Vの時、以下の問いに答えよ。 DD C →∞ ri MH R2 R₁ Ra Rs C→8 # R₁ Lo VL

医療工学の問題です。計算が苦手すぎて… 皆さんのお力を貸していただけると嬉しいです🙇 どれか一問だけでも構いません。

図の回路の増幅率はどれか.ただし, 抵抗 R の抵抗値は10kΩ, 抵抗R2の抵抗値は100kΩとする. R₁₂ 20 1. -11 2. -10 3. 5 4. 10 5.11 入力電圧 e R₁ + ics 31- le 出力電圧 〇 基準端子 MITI AUT 骨盛態 上 FAN-S 260 A FORD 3

真夜中に4μcと2μcの点電荷が20cm離れている。 この電荷間に働く力は何Nか。 1/4πεo＝9×10⁹として計算する。 この問題を教えてください。

電子回路学の問題です。解答を教えていただきたいです。

図1の(a)は, FET を用いた CR 結合の二段の低周波増幅回路である。ソースに入っている レコンデンサーは, 交流的には短絡と考えて良いとすれば、この回路の等価回路は(b)のよ たる。使用した FETのEmを2ミリジーメンス,ドレイン抵抗 r。を1メグオームとする。 * EETの入力インピーダンスは十分大きいので、 図の抵抗 Rの値は(1 ) キロオームと て良い。この回路を,低成,中域,および高域周波数に分けて考えると,そのうち(2) レ( 3 ) 域では図中のコンテデンサーのインピーダンスは十分小さいので, 等価電流源の負 花としては,( 4 ) キロオームの抵抗のみと考えて良い。このことから、図のように,入力に 抵幅1ミリボルトの電圧 みが加わったとき,中央の の振幅は( 5 ) ポルトとなる。まった く同様に考えれば,一段の増幅器を経た出力電圧は(6 )ポルトとなるから、この回路の利 得は約( 7 ) デシベルである。 一方低域では, コンデンサーのインピーダンスが無視できなくなり,低域遮断周波数である トW- 10K 1u 10K 1μ = 義 の の Rミ| 02 (8)ヘルツでは、中域利得に対して,利得が( 9 )デシベル低下する。全体が二段増幅命 となっていることに注意すれば,それより十分低い周波数では,周波数が半分になると、や が(10 )デシベル低下する特性となっている。 (2図2は、 演算増幅器 (オペアンプ)を用 JS0 た反転増幅回路である、 この回路の利得は、 1K 100K る。アースに対する図中のa点 a Ww -Mw 100K WWw

電子回路についてです。この問題の解き方が分かりません！教えてください。

完了 電子回路_12_トランジスタ増幅回路の等価回路(2) _a9f98115cc3d72b646757b Q IB-60μAHDベース·工ミッタ間ハイアス電圧/BEOI 及びコレクタ·エミッタ間のバイアス 電圧VcEoが次の値の時,ベースのバイ 5/8 - Ic [mA) 50μA CEQ アス電流Igoとコレクタのバイアス電 流Icoの概略値を静特性より読み取り なさい。 40μA 10 Vee=5V 30μA VBEO = 0.69V VCEO =5.0V う 5 20μA = 5.0V の時も 但し,入力特性生は VeE 左図の第3象限のグラフと同じとする。 又,Iao及び1co の単位は,夫々 μA及 びmAとし,何れも整数値で答える事。 10μA 0μA CQ 80 60 40 20 0 2 4 6|8 10 - I(uA) VcE (V) → F0.2 の前問ので求めた動作点でのh定数 he,he, hoe の概略値をそれぞれ求めなさい. 夫々の単位は、kΩ, 有効数字2桁(※)で記載する事。 F0.4 r0.5V 1.0V -0.6 VCE 単位無し、uSとし、 -0.8- VeE (V)

こちらの問題の解き方を教えて頂きたいです。よろしくお願いします！！

12.9 問図 12.4の回路で,i=2sin(1000t + T/2) [A]の電流が流れている。次の問いに 答えよ。 (1) この回路のアドミタンスYの複素数表示と極表示を求めよ。 (2) 回路に生じる電圧Vのフェーザ表示を求めよ。 (3) 電流 iR, icのフェーザ表示を求めよ。 (4) i, in, ic. 文のフェーザ図を描け。 ao iR ic R= C= 10[Q] 100 [μF] bo 問図 12.4

なぜ解答が3なのか解説お願いします。

(平成26年度問題32) を考える。流量Qと円管内径D及び流体の粘性係数』の関係に関する 次の記述のうち、最も適切なものはどれか。 ただし、 円管内の流れは 非圧縮性であり、また十分に発達しており、定常、かつ層流であると する。 0 Qは、Dの1乗に比例し、μに反比例する。 ② Qは、Dの2乗に比例し、μに反比例する。 ③ Qは、Dの4乗に比例し、μに反比例する。 Qは、Dの2乗に比例し、μの2乗に反比例する。 5 Qは、Dの2乗に比例し、μに依存しない。